Thông báo tuyển sinh

        Khai giảng khóa K98 ngày 05/09 và 20/09/2017 => Xem chi tiết Tại đây

MOSFET và JFET "Transistor trường"

Bạn đánh giá:  / 9
DỡHay 

 

Transistor MOSFET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic)

2. Nguyên lý hoạt động:

Có thể hiểu như sau: Khi cho dòng điện đi qua một môi trường bán dẫn có tiết diện dẫn điện thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp bán dẫn đó. Nếu thay đổi cường độ điện trường sẽ làm thay đổi điện trở của lớp bán dẫn và do đó làm thay đổi dòng điện đi qua nó. Lớp bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện.

3. Ưu nhược điểm và ứng dụng cơ bản

Ưu điểm 

- Dòng điện qua tranzito chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên. Do vậy FET là loại cấu kiện đơn cực (unipolar device). 

- FET có trở kháng vào rất cao. 

- Tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với tranzito lưỡng cực.

- Nó không bù điện áp tại dòng ID = 0 và do đó nó là cái ngắt điện tốt. 

- Có độ ổn định về nhiệt cao. 

- Tần số làm việc cao. 

Nhược điểm:

Nhược điểm chính của FET là hệ số khuếch đại thấp hơn nhiều so với tranzito lưỡng cực.

Ứng dụng:

- Dùng làm khóa điện tử, bộ khuếch đại tín hiệu vi sai phat sóng RC và tham gia cùng các linh kiện điện tử khác để hình thành các mạch chức năng trong hầu hết các thiết bị điện tử ngày nay.

4. Các loại JFET và MOSFET

- Tranzito trường điều khiển bằng tiếp xúc P-N (hay gọi là tranzito trường mối nối): Junction field- effect transistor - viết tắt và gọi là JFET. 

- Tranzito có cực cửa cách điện viết tắt và gọi là: MOSFET

4.1. JFET

+ Có hai loại JFET

JFET Kênh-N và JFET Kênh-P

       Hình ảnh ký hiệu trên bản vẽ: JFET kênh-N và JFET kênh-P

+ Điều kiện làm việc của JFET kênh-N

                          Hình ảnh mô tả điều kiện làm việc của JFET kênh-N

Thỏa mãn điều kiện sau thì JFET làm việc:

UD>Us (Cực D phải được áp đặt điện áp lớn hơn cực S)

UG<Us (Cực G phải có điện áp nhỏ hơn cực S)

                           Hình ảnh mô tả điều kiện làm việc của JFET kênh-P

- Us>UD (Cực S phải được áp đặt điện áp lớn hơn cực D

- UG>Us (Cực G phải có điện áp lớn hơn cực S)

(Các điện áp chênh lệch nhau bao nhiêu thì JFET làm việc và khóa? dòng "id" trong những trường hợp đó như thế nào? Các vấn đề chi tiết cụ thể người viết sẽ tiếp tục đề cập đến khi phân tích về MOSFET) 

+ Minh họa dòng điện khi JFET làm việc:

                    Hình ảnh minh họa mạch điện cơ bản định chế độ cho JFET làm việc

* Trên hình với JFET kênh-N ở góc độ lý thuyết ta có:
- Điện áp VGG áp đặt tới cực G và cực S để phân cực ngược cho tiếp giáp P-N, điện áp VDD áp đặt tới cực D và cực S để tạo đủ điều kiện cho JFFT làm việc tạo ra dòng điện chạy trong kênh dẫn và mạch điện.

- Đồng thời điện áp phân cực ngược áp đặt tới G và S làm cho vùng tiếp giáp P-N được mở rộng ra chủ yếu về phía kênh dẫn, điều này làm kênh dẫn hẹp bớt lại dẫn đến điện trở kênh dẫn tăng lên và dòng qua kênh dẫn giảm đi.

- Với kiểu phân cực như trên thì điện áp phân cực giữa G và D lớn hơn điện áp phân cực ngược giữa G và S làm cho vùng tiếp giáp sẽ bị mở rộng nhưng không đều.

- Về cơ bản nguyên lý hoạt động của 2 loại Jfet là như nhau, nhưng khác nhau về mặt cấp điện áp tại các cực D, S (ngược dấu nhau) và do đó khác nhau về chiều dòng điện ID.

- Ở chế độ khuếch đại, ta phải cấp nguồn UGS để 2 tiếp xúc P-N phân cực ngược. Nguồn UDS làm cho các hạt dẫn đa số chuyển động từ cực nguồn S về cực máng D => tạo dòng ID trong mạch cực máng.

Hỗ trợ trực tuyến

Mr Nam

Yahoo! Messenger
Call: 0903406798
--------------

 Ms Lan

Yahoo! Messenger

Điện thoại: 04 38697201

Cell: 0903246758

daynghedatviet@gmail.com

Sơ đồ mạch điện Laptop

Đang có 410 khách và không thành viên đang online

Đường đến Dạy Nghề Đất Việt

Liên hệ học nghề quảng cáo và Dịch vụ
Mô hình thiết bị dạy nghề Điện lạnh